国家标准《硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光法》

乐山市产品质量监督检验所作为全国半导体设备和材料标准化技术委员会和材料分技术委员会成员单位，长期重视标准化工作，近年来，主持和参与多项硅材料相关国家标准的研究。

近期，根据《国家标准化管理委员会关于下达2020年推荐性标准计划（修订）的通知》（国标委发〔2020〕6号）文件，确定乐山市产品质量监督检验所为国家行业标准《硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光法》的主起草单位。

多晶硅中的Ⅲ、Ⅴ族杂质含量（施主杂质含量、受主杂质含量）是影响多晶硅产品质量的重要技术指标，目前一般通过气氛区熔工艺将多晶硅拉制成单晶，再采用低温傅立叶变换红外光谱法（LTFT-IR）测定Ⅲ、Ⅴ族杂质含量。为确保硅晶体中的Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测量准确性，原有标准GB/T 24581-2009已经不能充分适应目前半导体及太阳能光伏产业的需要，有必要对原标准进行修订。本标准修订将结合标准的实际使用情况对原标准的技术内容进行适当修改，同时增加多个实验室的测量精密度，使GB/T 24581更为完善，从而更好地满足半导体及太阳能光伏产业发展的需要。